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數(shù)字式太陽能級(jí)硅晶體少子壽命測(cè)試儀

產(chǎn)品簡介

數(shù)字式太陽能級(jí)硅晶體少子壽命測(cè)試儀 型號(hào)：DP-LT-200

1. 儀器應(yīng)用范圍及說明

本設(shè)備是按照家標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測(cè)定的頻光電導(dǎo)衰減法"。頻光電導(dǎo)衰減法在我半導(dǎo)體集成電路、晶體管、整流器件、核探器行業(yè)已運(yùn)用了三十多年，積累了豐富的使用經(jīng)驗(yàn)，經(jīng)過數(shù)次十多個(gè)單位巡回測(cè)試的考驗(yàn)，證明是種成熟可靠的測(cè)試方法，特別適合于硅塊、硅棒的少子體壽命測(cè)量；也可對(duì)硅片行測(cè)量，給出相對(duì)壽命值。方法本身對(duì)樣品表面的要求為研磨面，因此制樣特別簡便。

產(chǎn)品型號(hào)：DP-LT-200
更新時(shí)間：2017-10-14
廠商性質(zhì)：生產(chǎn)廠家
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數(shù)字式太陽能級(jí)硅晶體少子壽命測(cè)試儀 型號(hào)：DP-LT-200

1.    儀器應(yīng)用范圍及說明

本設(shè)備是按照家標(biāo)準(zhǔn)GB/T1553“硅單晶少數(shù)載流子壽命測(cè)定的頻光電導(dǎo)衰減法”。頻光電導(dǎo)衰減法在我半導(dǎo)體集成電路、晶體管、整流器件、核探器行業(yè)已運(yùn)用了三十多年，積累了豐富的使用經(jīng)驗(yàn)，經(jīng)過數(shù)次十多個(gè)單位巡回測(cè)試的考驗(yàn)，證明是種成熟可靠的測(cè)試方法，特別適合于硅塊、硅棒的少子體壽命測(cè)量；也可對(duì)硅片行測(cè)量，給出相對(duì)壽命值。方法本身對(duì)樣品表面的要求為研磨面，因此制樣特別簡便。

數(shù)字式硅晶體少子壽命測(cè)試儀有以下特點(diǎn)：

可測(cè)量太陽能級(jí)多晶硅塊、單晶硅棒少數(shù)載流子體壽命。表面無需拋光，直接對(duì)切割面或研磨面行測(cè)量，儀器可按需方提供的有標(biāo)稱值的校準(zhǔn)樣品調(diào)試壽命值。

1.1     可測(cè)量太陽能級(jí)單晶及多晶硅片少數(shù)載流子的相對(duì)壽命，表面無需拋光、鈍化。

1.2     液晶屏上直接顯示少子壽命值，同時(shí)在線顯示光電導(dǎo)衰退波形。

1.3   配置的紅外光源：0.904～0.905μm波長紅外脈沖激光器，光穿透硅晶體深度較淺≈30μm，但光強(qiáng)較強(qiáng)，有利于測(cè)量低阻太陽能級(jí)硅晶體少數(shù)載流子體壽命，脈沖率30W。

1.4     測(cè)量范圍寬廣

測(cè)試儀可直接測(cè)量：

a、研磨或切割面：電阻率≥0.5Ω•cm的單晶硅棒、定向結(jié)晶多晶硅塊少子體壽命，切割片的少子相對(duì)壽命。

b、拋光面：電阻率在0.5～0.01Ω•cm范圍內(nèi)的硅單晶、鍺單晶厚度小于1mm的拋光片。

2.    設(shè)備要求及性能標(biāo)

2.1     少子壽命測(cè)試范圍：0.5μs~6000μs            

2.2     樣品的電阻率范圍：ρ﹥0.1Ω·cm（非回爐料）             

2.3     測(cè)試速度：1分鐘/片                     

2.4     紅外光源波長： 0.904～0.905μm                  

2.5     頻振蕩源：用石英諧振器，振蕩頻率：30MHZ

2.6     前置放大器，放大倍數(shù)約25，頻寬2HZ-2MHZ

2.7     可測(cè)單晶尺寸：斷面豎測(cè)：

直徑25mm-150mm；厚度2mm-500mm

縱向臥測(cè)：直徑5mm-20mm；長度50mm-200mm

2.8     測(cè)量方式：采用數(shù)字示波器直接讀數(shù)方式

2.9     測(cè)試分辨率：數(shù)字存儲(chǔ)示波器zui小分辨率0.01μs

2.10  設(shè)備重量：20 Kg

2.11  儀器電源：電源電壓類型：單相210～230V,50Hz,帶電源隔離、濾波、穩(wěn)壓，不能與未做保護(hù)措施的大率、頻設(shè)備共用電源。

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